Dr. Fariba Hatami

Profil

Derzeitige StellungProfessor W-1 und Äquivalente
FachgebietHalbleiterphysik
KeywordsEpitaxie, III/V-Mischhalbleiter, (Ga,In)(N,As,Sb), Quantenstruktur, 1.3-1.6nm Diodenlaser

Aktuelle Kontaktadresse

LandDeutschland
OrtBerlin
Universität/InstitutionHumboldt-Universität zu Berlin
Institut/AbteilungInstitut für Physik

Gastgeber*innen während der Förderung

Prof. Dr. James S. HarrisDepartment of Electrical Engineering, Solid State Electronics Laboratory, Stanford University, Stanford
Beginn der ersten Förderung16.10.2003

Programm(e)

2003Feodor Lynen-Forschungsstipendien-Programm